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MOS型電界効果型トランジスターのしくみ、動作原理

MOS型電界効果型トランジスターの動作原理図
上図の上は、PチャネルのMOS型電界効果型トランジスター のゲートに電圧をかけていない状態です。
電子を多く含むN型半導体の基盤と正孔を多く含むP型半導体で作られたソートとドレインの間には空乏層が出来ているために、ソースとドレインの間は絶縁されています。

ところが、ゲートにマイナス電圧を掛けると、上図の下のようにゲートから電子がN型半導体の基盤に押しやられ、 その代わりに、基盤の上部に正孔が多くなり、正孔が多いソートとドレインの間を繋げます。この部分をチャネルと呼び、正孔が多いチャネルなのでPチャネルと呼びます。
チャネルの大きさはゲートに掛けるマイナス電圧の大きさに比例します。また、ソースからドレイン方向、ドレインからソース方向の両方向に電気を流すことが出来ます。
ソースとドレインをN型半導体で作り、基盤をP型半導体で作っても動作原理は同じです。
NチャネルMOS型電界効果型トランジスター です。

その他、ゲートに電圧を掛けないときにソースとドレイン間を繋げて、電圧を掛けると遮断するようにも作れます。
これを デプレッション型 と呼び、ゲートに電圧を掛けたときに繋がるようにしたものを エンハンスメント型 と呼びます。





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